卷對卷石墨烯膜生長設備_產品中心_安徽貝意克設備技術有限公司

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皖公網安備 34019202000574號

卷對卷石墨烯膜生長設備

名稱

卷對卷連續化走絲BN沉積系統 RTR-1400C-III-60

設備型號：RTR-1400C-III-60 設備簡介：該設備為我司研發用于材料連續生長的專用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐，它由高溫生長加熱系統，真空密封腔室，剛玉管，SiC纖維卷繞部件，自動化控制系統組成，兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放卷的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點。

名稱

卷對卷連續生長PECVD設備 RTR-III-80-PE

設備型號：RTR-III-80-PE 設備簡介：該設備為我司研發用于石墨烯薄膜連續生長或者線性材料的連續的專用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐，它由高溫生長腔體，三路質量流量計氣路系統，真空機組，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動化控制系統組成，兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放銅箔或纖維絲的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點，可以進行大面積、高質量石墨烯的規?；L或者線性材料的連續生長。（纖維生長工藝，配有纖維張力計，可以通過調節電機轉速，以便達到纖維連續進出且受力均勻。）

名稱

卷對卷連續化生長CVD設備 RTR-III-80

設備型號：RTR-III-80 設備簡介：該設備為我司研發用于石墨烯薄膜連續生長或者線性材料的連續的專用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷CVD連續生長爐，它由高溫生長腔體，三路質量流量計氣路系統，真空機組，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動化控制系統組成，兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放銅箔或纖維絲的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點，可以進行大面積、高質量石墨烯的規?；L或者線性材料的連續生長。（纖維生長工藝，配有纖維張力計，可以通過調節電機轉速，以便達到纖維連續進出且受力均勻）

名稱

大口徑動態plasma輔助法卷對卷式石墨烯制備設備 RTR-150

設備型號：RTR-150 設備簡介：該設備為我司研發用于材料連續生長的專用設備，此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長爐，它由高溫生長腔體，質量流量計氣路系統，真空機組，RF射頻電源模塊，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動化控制系統組成，兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放卷的密封裝置），收放密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點。

名稱

卷對卷熱壓印-電化學快速鼓泡轉移設備

名稱

大型卷對卷連續石墨烯膜生長設備

設備簡介：基于廣大科研界對實現大面積單層石墨烯薄膜在工業銅箔基底上卷對卷宏量制備的需求，我公司開發出一種新的卷對卷連續快速生長石墨烯薄膜的方法，設計并研制了可達到中試水平的石墨烯卷對卷化學氣相沉積系統，通過對石墨烯成核與生長的調控實現高品質石墨烯薄膜生長；此款設備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續生長爐，它由高溫生長腔體，三路質量流量計氣路系統，真空機組，RF射頻電源模塊，石英管，冷卻裝置，收放銅箔的密封裝置，自動化控制系統組成，兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室(即收放銅箔的密封裝置)，收放銅箔的密封裝置內分別對應安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點，可以進行大面積、高質量石墨烯的規?；L。

名稱

卷對卷薄膜石墨烯生長設備 ROLL-TO-ROLL

設備簡介：基于廣大科研界對實現大面積單層石墨烯薄膜在工業銅箔基底上卷對卷宏量制備的需求,我公司利用一種新型等離子增強卷對卷連續快速生長石墨烯薄膜的方法，設計并研制了可達到中試水平的石墨烯卷對卷化學氣相沉積系統，通過對石墨烯成核與生長的調控實現高品質石墨烯薄膜生長;卷對卷熱壓印-電化學快速鼓泡轉移方法轉移，避免了銅箔刻蝕的常規轉移工藝，實現了石墨烯從銅箔生長基底直接向工業用 PET 柔性透明塑料基底的連續化無損轉移。該設備在真空條件下，通過射頻電源作用于真空腔室內的稀薄氣體，形成等離子體等效輝光作用(本公司PECVD專利)，利用等離子體的場能部分代替了熱能，從而降低石墨烯生長溫度，改善工藝條件。通過對石墨烯成核與生長的調控實現高品質石墨烯薄膜生長。該方法使用銅箔作為基底，電機帶動銅箔在密閉生長條件下運動，經過第一溫區(退火區)處理后的銅箔;在第二、第三溫區(生長區)石墨烯將沉積在銅箔上，并通過冷卻裝置后收緊成卷。相對于現有技術具有快速冷卻、連續生長的優點，可以進行大面積、高質量石墨烯的規?；L。